瑞能硅基功率二极管产品系列及其应用介绍

瑞能硅基功率二极管产品组合

FRD---快恢复功率二极管

Low VF Bridge---低导通压降整流桥

STD---标准整流二极管

SBD---肖特基功率二极管

FRD 产品世代图

BYC系列（Hyperfast）

超快恢复二极管，适合于高频开关应用，反向恢复电荷Qrr较小。

BYV系列（Ultrafast）

快恢复二极管，适合于中低频开关应用，正向导通压降VF较小。

G4FRD系列

额定电压650V，更强的EAS能力，更低的Ir漏电流表现。

G5 FRD系列

软恢复二极管，降低反向恢复过程中二极管的di/dt，帮助客户优化系统的EMI性能。

G4 FRD 产品系列

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未来将会有更多的G4 FRD 投入市场，最大电流可涵盖到100A和常见的主流封装形式，可满足光伏，EV，开关电源，工业UPS等更方面的需求。

Low VF 整流桥-GBJ封装

整流桥在电力电子拓扑中的应用中，具备的特点包括：较低的导通压降VF；反向恢复时间长；较强的浪涌能力。

普通整流桥

WNB2560M

竞品

WNB2560M

普通GBJ整流桥的VF在额定电流时电压普遍在0.97V以上，瑞能的低VF整流桥VF典型值在0.87V，这将会降低整流桥上的导通损耗，特别是在low line大电流输入的情况下，对效率和热性能有一定的改善。

编辑：黄飞