氮化镓芯片应用领域有哪些

相对于硅材料，使用氮化镓制造新一代的电力电子器件，可以变得更小、更快和更高效。这将减少电力电子元件的质量、体积以及生命周期成本，允许设备在更高的温度、电压和频率下工作，使得电子电子器件使用更少的能量却可以实现更高的性能。那么氮化镓芯片应用领域有哪些呢？

而随着氮化镓技术的不断发展，氮化镓也应用在了很多新兴领域。

新型电子器件

GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管（HFET）、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。调制掺杂的AlGaN/GaN结构具有高的电子迁移率（2000cm2/v·s）、高的饱和速度（1×107cm/s）、较低的介电常数，是制作微波器件的优先材料；GaN较宽的禁带宽度（3.4eV） 及蓝宝石等材料作衬底，散热性能好，有利于器件在大功率条件下工作。

光电器件

GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料，GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色 LED之后，InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。目前，Zcd和6cd单量子阱GaN蓝色和绿色 LED已进入大批量生产阶段，从而填补了市场上蓝色LED多年的空白。

正是基于GaN的上述特性，越来越多的人看好其发展的后势。特别是在几个关键市场中，GaN都表现出了相当的渗透力。

5G方面的应用

射频氮化镓技术是5G的绝配，基站功放使用氮化镓。氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）是射频应用中常用的半导体材料。

在快充市场的应用

现在充电器的功率也随之增大，尤其是对于大功率的快充充电器，使用传统的功率开关无法改变充电器的现状。而GaN技术可以做到在高速开关的情况下仍保持高效率水平，能够应用于更小的元件，应用于充电器时可以有效缩小产品尺寸，比如使目前的典型45W适配器设计可以采用25W或更小的外形设计。

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