氮化镓工艺制造流程

氮化镓具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀以及抗辐射性能等优点，从而可以采用氮化镓制作半导体材料，而得到氮化镓半导体器件。

目前第三代半导体材料主要有三族化合物半导体材料、碳化硅和氧化物半导体材料，其中三族化合物半导体常见的有氮化镓和氮化铝；氧化物半导体材料主要有氧化锌、氧化镓和钙钛矿等。第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优点，因此适合制作耐高压、高频、高电流的器件，也可以降低器件的功耗。

氮化镓具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、饱和电子漂移速度高和抗辐射能力强等特点，是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料。

现有技术中，氮化镓半导体器件的制备方法为：在氮化镓外延层的表面上形成氮化硅层，在氮化硅层上刻蚀出源极接触孔和漏极接触孔，源极接触孔和漏极接触孔内沉积金属，从而形成源极和漏极；再刻蚀氮化硅层以及氮化镓外延层中的氮化铝镓层，形成一个凹槽，在凹槽中沉积金属层，从而形成栅极；然后沉积二氧化硅层以及场板金属层，从而形成氮化镓半导体器件。

GaN晶圆的分步制造：

第一步、MOCVD生长前衬底的清洗

第二步、扫描电镜制模与表征

第三步、用MOCVD外延生长

第四步、用扫描电镜进一步表征

第五步、部件制造和特性测试

涂覆的方法叫做外延生长。在该过程中，气体和金属在良好控制的条件和高温下与基底材料反应。这样，GaN的薄层或纳米线可以在晶片上“生长”。下一代半导体晶片具有GaN材料的元件。

然后将完成的晶片切割成邮票大小的小块进行封装。在日常语言中，封装的半导体被称为微芯片或仅仅是芯片。这些可谓是让电子产品工作的大脑和内存。该芯片包含数百万个晶体管。通常一个器件的晶体管越多，它执行任务的速度就越快。

本文整理自GaN世界、 X技术、个人图书馆