贸泽推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驱动器 高频应用的

2019年9月26 日 – 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 （Mouser Electronics） 即日起开始备货Texas Instruments （TI） LMG1210 200 V半桥MOSFET和GaN FET驱动器。LMG1210是TI性能出众的氮化镓 （GaN） 电源产品系列，与传统硅替代方案相比，拥有更高的效率与功率密度，以及更小的整体系统尺寸，并专门针对速度关键型功率转换应用进行了优化。

TI LMG1210是一款50 MHz半桥驱动器，经过特别设计，能与电压高达200V的增强模式GaN FET搭配使用。LMG1210能实现超高性能与高效运行，并具有10 ns的超短传播延迟，优于传统硅半桥驱动器。此器件还具有1 pF的低开关节点电容和用户可调的死区时间控制，可让设计人员优化系统内的死区时间，进而改善效率。

LMG1210拥有3.4 ns高侧/低侧延迟匹配、4 ns最小脉宽和内部LDO，可确保在任何电源电压下都能维持5V的栅极驱动电压。本驱动器还具备超过300 V/ns的业内超高共模瞬态抗扰度（CMTT），可实现较高的系统抗扰性。

TI LMG1210驱动器适用于高速DC/DC转换器、电机控制、D类音频放大器、E类无线充电、RF包络跟踪以及其他功率转换应用。