Transphorm和贸泽电子宣布达成全球分销协议

加州戈拉塔--（BUSINESS WIRE）--（美国商业资讯）--最高可靠性高压（HV）氮化镓（GaN）半导体的设计和制造领导者Transphorm Inc.今天宣布，它已与贸泽电子（Mouser Electronics Inc.）签署全球分销协议，授权该公司在全球经销其最新的半导体和电子元件。根据协议，贸泽电子将分销Transphorm的经过JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET和评估工具。

截至今天，贸泽电子可供应Transphorm的900 V TO-220和650 V TO-247 TO-247及TO-220 GaN FET器件。这些器件具有低交越损耗、更少栅极电荷和更小的反向恢复电荷，与硅MOSFET相比，可提供与碳化硅（SiC） FET相似的现场可靠性和更高的性能。与竞争对手的GaN晶体管相比，Transphorm的FET还提供业界最高的4 V阈值电压和±20 V的栅极稳健性等级。

另外还提供Transphorm的汽车级GaN FET，包括业界首款获得AEC-Q101认证的GaN解决方案TPH3205WSBQA，以及业界首款175摄氏度标准的AEC-Q101认证器件TP65H035WSQA。与非汽车应用一样，使用650 V GaN FET的车载电源系统与类似的硅基解决方案相比，可以将功率密度提高40%，同时将整体系统成本降低多达20%。

最后，贸泽电子推出的Transphorm评估平台允许设计人员研究开关特性和效率。该套件支持各种电源系统拓扑，包括逆变器、半桥降压或升压（通孔和SMD解决方案）以及无桥图腾柱PFC，并支持一系列额定功率。例如，包括1.2 kW和2.5 kW半桥评估平台以及2.5 kW和4 kW无桥图腾柱PFC评估平台。