高可靠性1700V全SiC功率模块

BSM250D17P2E004，1700V耐压产品的需求高涨，采用新的芯片涂覆材料和工艺方法，绝缘击穿，高温高湿反偏试验，HV-H3TRB，导通电阻降低10%。

ROHM面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器，开发出实现行业领先*可靠性的、额定值保证1700V/250A的全SiC功率模块“BSM250D17P2E004”。

*截至2018年10月26日 ROHM调查数据

需求高涨的1700V耐压全SiC功率模块

近年来，由于SiC产品的节能效果优异，以1200V耐压为主的SiC产品在汽车和工业设备等领域的应用日益广泛。系统呈高电压化发展趋势，1700V耐压产品的需求日益旺盛。然而，1700V耐压产品受可靠性等因素影响，迟迟难以推出SiC产品，目前主要使用IGBT。

此次开发的1700V模块采用新涂覆材料和新工艺方法，成功地预防了绝缘击穿，并抑制了漏电流的增加。另外，在高温高湿反偏试验中，呈现出极高可靠性，超过1，000小时也未发生绝缘击穿现象，从而成功推出了额定值保证1700V/250A的全SiC功率模块。

在高温高湿环境下确保行业领先的可靠性
 

1700V全SiC功率模块BSM250D17P2E004通过采用新涂覆材料作为芯片的保护对策，并引进新工艺方法，使模块通过了高温高湿反偏试验（HV-H3TRB：High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias）。

对BSM250D17P2E004和同等IGBT模块实施了HV-H3TRB高温高湿反偏试验，试验条件为在85℃/85%的高温高湿环境下，施加1360V。试验结果是IGBT模块比较早期出现绝缘劣化或绝缘击穿导致的漏电流增加现象，在1，000小时内发生了故障。而新开发的SiC功率模块即使超出1，000小时也未发生绝缘击穿，表现出极高的可靠性。

导通电阻更低，有助于进一步降低设备损耗

构成BSM250D17P2E004的SiC SBD（肖特基势垒二极管）和SiC MOSFET全部由ROHM生产。通过SiC SBD和SiC MOSFET的最佳组合配置，使导通电阻低于同等普通产品10%。这将非常有助于进一步降低应用的能耗。

SiC功率模块的产品阵容