MOSFET的驱动难道不是VGS大于开启电压就可以了吗

这几天准备测试DCDC电源的时候，发现没有负载，想着要不买一个看看，淘宝搜了一下，看到网上好多都是给电池放电，测试放电曲线用的，价格呢也不是很便宜。想起以前在ADI的官方教程电源大师课中有设计好的负载demo板，立即便下载下来准备打样，自己做一个动态负载切换的PCBA。

负载切换的原理很简单，主要通过PWM控制MOS管导通截止来使下图右侧的电阻R5短路和断路，其中TP2为DCDC输出电压。

① Q1截止时，负载为R6=25Ω；

② Q1导通时，负载为R5//R6=25Ω//3Ω =2.68Ω 。

由于以前没有MOS管驱动的经验，估计我自己设计的话，直接就用一个555定时器驱动如上图所示的Q1，结果可想而知，肯定达不到理想的状态。

那什么地方出问题了呢？MOSFET的驱动难道不是VGS大于开启电压就可以了吗？为什么要在前级放一个专用MOS管驱动芯片呢？

这时候就要说到MOS管的寄生电容了，下图是CSD17303Q5  MOS管的寄生电容参数和充电的电量。由于Q=Ig*t，Q不变的情况下，如果驱动MOS管栅极的电流小，那么时间t就会很长，驱动级就变成了电容的充放电波形。。。所以像前面提到的555电路直接驱动功率MOS，是得不到一个漂亮的方波的，很容易就会生成一个三角波，从而达不到想到的效果了。
 

审核编辑：刘清