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ADH8412S 0.4 GHz至11GHz,低噪声放大器技术手册

时间:2025-04-22 10:07

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作者:admin

标签: 砷化镓  GaAs 

导读:ADH8412S-CSL是一种砷化镓(GaAs)、单片微波集成电路(MMIC)、伪晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、低噪声宽带放大器,工作频率为0.4 GHz至11 GHz。...

ADH8412S-CSL是一种砷化镓(GaAs)、单片微波集成电路(MMIC)、伪晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、低噪声宽带放大器,工作频率为0.4 GHz至11 GHz。

数据手册:*附件:ADH8412S 0.4 GHz至11GHz,低噪声放大器技术手册l.pdf

ADH8412S-CSL提供15.5 dB的典型增益、1.4 dB的典型噪声系数和≤33 dBm的典型输出三阶截距(OIP3),在5 V漏极电源电压下只需要60 mA。典型的≤20.5 dBm的饱和输出功率(PSAT)使低噪声放大器(LNA)能够作为许多Analog Devices,股份有限公司、平衡、同相和正交(I/Q)或图像抑制混频器的本地振荡器(LO)驱动器

ADH8412S-CSL还具有内部匹配到50Ω的输入和输出,使该设备成为基于表面贴装技术(SMT)的空间应用的理想选择。ADH8412S-CSL采用2 mm×2 mm、6引脚引线框架芯片级封装(LFCSP)。

其他应用和技术信息可以在商业航天产品计划手册和HMC8412数据表中找到。

特征
►低噪声系数:0.4 GHz至3 GHz时典型为1.4 dB
►单正电源(自偏置)
►高增益:典型值≤15.5 dB
►高OIP3:典型值≤33 dBm
►符合RoHS标准,2 mm×2 mm,6引线LFCSP

引脚配置和功能描述
1.png

接口示意图
2.png

应用
►低地球轨道和中地球轨道(LEO/MEO)卫星
►航空电子设备
►测试仪器
►电信
►军用雷达和通信
►电子战
►航空航天

温馨提示:以上内容整理于网络,仅供参考,如果对您有帮助,留下您的阅读感言吧!
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