ADL8102 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，1 GHz至22

ADL8102是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、低噪声宽带放大器，工作频率范围为1 GHz至22 GHz。

数据手册：*附件：ADL8102 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，1 GHz至22 GHz技术手册.pdf

在9 GHz至19 GHz范围内，ADL8102提供27 dB典型增益、2.5 dB典型噪声系数，在1 GHz至9 GHz范围内提供25 dBm典型输出三阶交调截点(OIP3)，以及高达15.5 dBm的饱和输出功率(P SAT )，采用5 V电源电压时功耗仅为110 mA。ADL8102还具有内部匹配50 Ω的输入和输出。RFIN和RFOUT引脚均内部交流耦合，同时集成了偏置电感，使其非常适合基于表贴技术(SMT)的高容量微波无线电应用。

ADL8102采用符合RoHS标准的3 mm × 3 mm、16引脚LFCSP封装。

特性

• 单个正电源（自偏置）
• 增益：27 dB（典型值，9 GHz至19 GHz时）
• OP1dB: 13.5 dB（典型值，1 GHz至9 GHz时）
• OIP3: 25 dBm（典型值，1 GHz至9 GHz时）
• 噪声系数：2.5 dB（典型值，9 GHz至19 GHz时）
• 符合RoHS标准的3 mm x 3 mm、16引脚LFCSP封装

引脚配置和功能描述

接口示意图

典型特性

简易框图

应用

• 电信
• 卫星通信
• 军用雷达
• 气象雷达
• 民用雷达
• 电子战