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ADL8121 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,0.025 GHz至

时间:2025-04-22 14:38

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作者:admin

标签: 砷化镓  GaAs 

导读:ADL8121是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器,工作频率范围为0.025 GHz至12 GHz。...

ADL8121是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器,工作频率范围为0.025 GHz至12 GHz。

数据手册:*附件:ADL8121 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,0.025 GHz至12 GHz技术手册.pdf

在0.025 GHz至10 GHz频率范围内,ADL8121提供16.5 dB典型增益、2.5 dB典型噪声系数和36 dBm典型输出三阶交调截点(OIP3),采用5 V电源电压时功耗仅为95 mA。在0.025 GHz至10 GHz频率范围内,21.5 dBm的典型饱和输出功率(P SAT )可以使低噪声放大器(LNA)用作ADI公司众多平衡式、同相和正交(I/Q)或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器

ADL8121还具有内部匹配50 Ω的输入和输出,非常适合基于表贴技术(SMT)的应用且采用符合RoHS标准的2 mm x 2 mm、6引脚LFCSP封装。

特性

  • 低噪声指数:0.025 GHz 到 10 GHz 范围内为 2.5 dB(典型值)
  • 单一正电源(自偏置)
  • 高增益:0.025 GHz 到 10 GHz 范围内为 16.5 dB(典型值)
  • 高 OIP3:0.025 GHz 到 10 GHz 时为 36 dBm(典型值)
  • 兼容 RoHS 的 6 引脚 2 mm × 2 mm LFCSP

引脚配置和功能描述
1.png

接口示意图
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典型特性
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典型应用
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应用

  • 测试仪器仪表
  • 军事通信
  • 军用雷达
  • 电信
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