与MOS不同，IGBT高温/常温输出特性曲线为何有交点

实例1 、pn结正向压降为何是负的温度系数呢？

回答 ：pn结的正向压降Vbi公式如下：

其中本征载流子浓度ni随温度升高而急剧增大，导致Vbi随温度升高而减小，呈现负的温度系数。

实例2 、SiC pn结正向压降为何比硅的高呢？

回答 ：pn结的正向压降Vbi公式如下：

其中本征载流子浓度ni公式如下：

SiC材料的禁带宽度Eg大（SiC：3.26eV，Si：1.12eV），因此ni远小于Si（SiC：5E-9/cm3，Si：9.65E9/cm3），导致Vbi大。

小江进行了简单的计算，对比曲线如下：

可知SiC PN结Vbi约3.0V（蓝线），远大于Si的约0.7V（红线）。

实例3 、与MOS不同，IGBT高温/常温输出特性曲线为何有交点？

回答 ：原因为MOS导通电压由沟道、漂移区等组成（温度系数为正，主要原因为随温度升高迁移率减小），无交点。而IGBT导通电压由沟道、漂移区等其他部分（温度系数为正）和PN结电压（温度系数为负）组成，于是出现交点。