详解共射放大电路的发射极电流和Rc、RE

这一节继续对共射放大电路进行总结分析，确定发射极电流和Rc、RE！

关键：共射放大器电路；

表1-1 共射放大电路的设计规格

确定发射极电流的工作点

接着是设定工作点，晶体管的性能，特别是频率特性随着发射极电流（或者集电极电流）变化而产生很大变化。图1-1是表示2SC2458晶体管的频率特性与发射极电流的曲线图：

图1-1 2SC2458的频率特性与发射极电流的关系

图1-1中fT称为晶体管的特征频率，他表示交流电流放大系数为1时的频率，它的值随着发射极电流从30~500MHz有很大变化，由该曲线图可知，如果希望频率特性最好（fT最高），必须将IE设定在400mA。

对于噪声特性也一样，存在着噪声最小的集电极电流，在同一晶体管中，频率特性最好的发射极电流与噪声特性最好的发射极电流是不同的。即使这样，因为该电路没有其他更详细的规定，所以如果IE为最大额定值以下，不管多少毫安都是没有关系的，在这里取1mA，只是为了计算更加方便。

02确定Rc、RE的方法

由前面章节可知，电路的放大倍数由Rc与RE之比来决定的，所以令放大倍数Av=5，取Rc：RE=5:1。为了吸收基极-发射极间电压VBE随温度的变化，而使工作点（集电极电流）稳定，RE的直流压降必须在1V以上，这是因为VBE约为0.6V，然而它具有-2.5mV/℃的温度特性，这是由于VBE的变动，发射极电位也跟着变动，集电极电流也发生变化的缘故。

在这里，去RE的压降为2V，因此Ic=1mA，则可以得到发射极电阻为：

所以可以得到集电极电阻为：

晶体管的集电极-发射极间电压VCE为集电极电位Vc减去发射极电位VE，所以可以得到晶体管集电极-发射极间电压VCE为：

晶体管的集电极损耗Pc（在集电极-发射极间发生的功率损耗，它变成了热量）为：

可知Pc在晶体管规定的最大额定值以下，还有Rc的值太大，则在Rc本身的压降变大，集电极电位下降，在输出振幅大时，集电极电位靠近发射极电位，削去波形的下侧；相反，Rc的值过小时，则集电极电位靠近电源电位，削去波形的上侧。因此，在最大输出振幅时，如果电位关系成为削去波形的关系，则有必要调整VE或者Ic的设定来重新求出Rc与RE了。最好的办法是将集电极电位Vc设定在Vcc与VE的中点，但是像本设计那样，只要满足最大输出振幅的规格，也没有必要特定去将集电极电位Vc设定在中点。