TPS51916 器件以最低的总成本和最小的空间为 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 内存系统提供完整的电源。它集成了同步降压稳压控制器 （VDDQ），具有 2A 灌电流和 2A 源跟踪 LDO （VTT） 和缓冲低噪声基准 （VTTREF）。
*附件：tps51916.pdf
该器件采用 D-CAP™ 模式与 300 kHz 或 400 kHz 频率耦合，以实现易用性和快速瞬态响应，或采用 D-CAP2™ 模式与更高的 500 kHz 或 670 kHz 频率耦合，以支持陶瓷输出电容器，而无需外部补偿电路。VTTREF 以 0.8% 的出色精度跟踪 VDDQ/2。VTT 提供 2A 灌电流和 2A 拉电流峰值电流能力，仅需要 10μF 的陶瓷电容。提供专用的 LDO 电源输入。
该器件还提供出色的电源性能。它支持灵活的电源状态控制，在 S3 中将 VTT 置于高阻态，并在 S4 或 S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF（软关断）放电。具有低侧 MOSFET R 的可编程 OCL DS（开） 还提供传感、OVP、UVP、UVLO 和热关断保护。
特性
- 同步降压控制器 （VDDQ）
- 转换电压范围：3 V 至 28 V
- 输出电压范围：0.7 V 至 1.8 V
- 0.8% 电压
裁判准确性 - 可选控制架构
- 用于快速瞬态响应的 D-CAP™ 模式
- 用于陶瓷输出电容器的 D-CAP2™ 模式
- 可选 300 kHz、400 kHz、500 kHz 或 670 kHz 开关频率
- 通过自动跳过功能优化轻负载和重负载的效率
- 支持 S4 和 S5 状态下的软关闭
- OCL/OVP/UVP/UVLO 保护
- Powergood 输出
- 2A LDO（VTT）、缓冲基准 （VTTREF）
- 2A（峰值）灌电流和拉电流
- 缓冲、低噪声、10mA VTTREF 输出
- 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
- 支持高阻态 （S3） 和软关断 （S4、S5）
- 热关断
- 20 引脚、3 mm × 3 mm QFN 封装
- 创建 WEBENCH 设计
参数
1. 产品概述
- 类型：同步降压控制器（Synchronous Buck Controller）与LDO（Low Dropout Regulator）组合
- 应用：DDR2、DDR3、DDR3L及DDR4内存电源解决方案
- 主要特性：
- 同步降压控制器（VDDQ）：转换电压范围3V至28V，输出电压范围0.7V至1.8V
- 2A LDO（VTT）：用于提供稳定的参考电压VTTREF
- 可选控制架构：D-CAP™和D-CAP2™模式，支持快速瞬态响应
- 可选开关频率：300kHz、400kHz、500kHz或670kHz
- 过流保护（OCL）、过压保护（OVP）、欠压保护（UVP）及欠压锁定（UVLO）
- 热关断保护
- 20引脚3mm x 3mm QFN封装
2. 功能描述
- VDDQ同步降压控制器：
- 支持D-CAP™和D-CAP2™两种控制模式，无需复杂外部补偿网络
- 集成软启动功能，抑制启动时的浪涌电流
- Powergood输出，指示VDDQ电压是否在目标范围内
- VTT和VTTREF LDO：
- VTTREF跟踪VDDQ/2，精度±1%
- VTT提供2A的源和汇电流能力，仅需10μF陶瓷电容
- 电源状态控制：
- 通过S3和S5引脚控制电源状态，支持S0（全开）、S3（待机至RAM）、S4/S5（软关闭）
- 放电控制：
3. 保护功能
- 过压保护（OVP） ：当VDDQSNS电压超过REFIN电压的20%时触发
- 欠压保护（UVP） ：当VDDQSNS电压低于REFIN电压的68%持续1ms时触发
- 过流保护（OCL） ：通过监控低侧MOSFET的R_DS(on)实现周期过流限制
- 热关断：当结温超过140°C时触发，自动关闭输出
4. 应用与实施
- 设计指南：提供了详细的DDR3应用电路，包括D-CAP™和D-CAP2™模式的设计要求和步骤
- 布局建议：强调了关键组件的布局和走线考虑，以减少噪声和干扰
5. 封装与订购信息
- 封装：20引脚3mm x 3mm QFN封装
- 订购信息：提供了不同封装和批量的订购选项
6. 文档与支持
- 文档：包括数据手册、应用笔记、参考设计等
- 支持：TI E2E在线社区提供技术支持和协作平台
7. 注意事项
- 在设计和使用过程中，需严格遵守数据手册中提供的绝对最大额定值、推荐操作条件和热信息
- 注意静电放电（ESD）防护，避免损坏设备
- 在生产系统中使用前，应进行充分的验证和测试
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