TPS51216 以最低的总成本和最小的空间为 DDR2、DDR3 和 DDR3L 内存系统提供完整的电源。它将同步降压稳压控制器 （VDDQ） 与 2A 灌/拉跟踪 LDO （VTT） 和缓冲低噪声参考 （VTTREF） 集成在一起。该TPS51216采用 D-CAP™ 模式与 300 kHz/400 kHz 频率耦合，易于使用且瞬态响应快速。VTTREF 以 0.8% 的出色精度跟踪 VDDQ/2。VTT 提供 2A 灌电流/拉电流峰值能力，只需要 10μF 的陶瓷电容。此外，还提供专用的 LDO 电源输入。
*附件：tps51216.pdf
TPS51216 提供丰富的实用功能以及出色的电源性能。它支持灵活的电源状态控制，在 S3 中将 VTT 置于高阻态，并在 S4/S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF（软关闭）放电。具有低侧 MOSFET R 的可编程 OCL DS（开） 还提供传感、OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。
TPS51216 采用 20 引脚、3 mm × 3 mm QFN 封装，额定环境温度为 –40°C 至 85°C。
特性
- 同步降压控制器 （VDDQ）
- 转换电压范围：3 V 至 28 V
- 输出电压范围：0.7 V 至 1.8 V
- 0.8% 电压
裁判准确性 - 用于快速瞬态响应的 D-CAP™ 模式
- 可选 300 kHz/400 kHz 开关频率
- 通过自动跳过功能优化轻负载和重负载的效率
- 支持 S4/S5 状态下的软关断
- OCL/OVP/UVP/UVLO 保护
- Powergood 输出
- 2A LDO（VTT）、缓冲基准 （VTTREF）
- 2A（峰值）灌电流和拉电流
- 仅需 10μF 的陶瓷输出电容
- 缓冲、低噪声、10mA VTTREF 输出
- 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
- 在 S3 中支持 High-Z，在 S4/S5 中支持 Soft-Off
- 热关断
- 20 引脚、3 mm × 3 mm QFN 封装
- 应用
- DDR2/DDR3/DDR3L 内存电源
- SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135 和 HSTL 端接
参数
方框图
1. 产品概述
- 型号：TPS51216
- 类型：同步降压控制器
- 应用：DDR2、DDR3及DDR3L内存系统
- 特点：集成同步降压调节器控制器、2A LDO、缓冲参考电压，提供完整的内存电源解决方案
2. 主要特性
- 转换电压范围：3V至28V
- 输出电压范围：0.7V至1.8V
- 工作频率：300kHz/400kHz可选
- 控制模式：D-CAP™模式，快速瞬态响应
- 保护功能：过流保护（OCL）、过压保护（OVP）、欠压保护（UVP）、欠压锁定（UVLO）、热关断
- 电源状态控制：通过S3和S5引脚实现简单电源状态控制
- 软启动功能：集成VDDQ软启动功能，抑制启动时的浪涌电流
- 功率好信号：PGOOD开漏输出，指示VDDQ电压是否在目标范围内
3. 电气特性
- VREF输出：1.8V，±0.8%准确度
- VTTREF输出：跟踪VDDQ/2，±1%准确度
- VTT输出：2A峰值源/汇电流能力，±40mV调节精度
- 软启动时间：典型值为700μs
- PGOOD延迟时间：断言延迟1ms，否定延迟330ns
4. 功能描述
- VDDQ开关模式电源控制：采用D-CAP™模式，实现伪恒定频率和快速瞬态响应
- VTT和VTTREF：集成两个高性能、低dropout线性调节器，提供完整的内存电源解决方案
- 过压和欠压保护：设置OVP和UVP阈值，保护电路免受电压异常影响
- 过流保护：周期性过流限制保护，防止负载电流过大
- 热关断：内部温度监控，超过阈值（典型值为140°C）时关断输出
5. 应用信息
- 设计要求：包括VDDQ输出电压和电流、VTT输出电压和电流等
- 详细设计步骤：确定分压电阻、选择电感、选择输出电容等
- 布局指南：强调最小化高电流环路面积、敏感信号远离噪声源等
6. 封装与尺寸
- 封装类型：20引脚，3mm x 3mm QFN封装
- 尺寸：3mm x 3mm
7. 订购信息
- 订货号：TPS51216RUKR（带卷和带）
- 工作温度范围：-40°C至85°C
8. 其他信息
- 环保声明：符合RoHS标准
- 安全警告：处理时需采取适当的静电放电（ESD）防护措施
以上是TPS51216同步降压控制器的总结，涵盖了其主要特性、电气特性、功能描述、应用信息、封装与尺寸、订购信息以及其他相关信息。
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