国芯思辰| 碳化硅B2M040120H可替代英飞凌、安森美

光伏储能系统是利用太阳能进行光伏储能发电的系统，其中光伏设备会吸收太阳能转化成电能，储能设备会将光伏设备产生的电能进行存储，当光伏系统电力不足时，储能系统会通过转换，将存储的电能转换为所需的交流电供电网使用。

随着光伏组件功率密度的持续提升，也对碳化硅器件性能提出了更高的要求。基本半导体的第二代碳化硅MOSFET，在开关速度、开关损耗、成本等方面进行了改善，以进一步提升客户端光伏逆变器的功率密度。在碳化硅功率模块方面，基本半导体推进工业级碳化硅二极管模块、MOSFET模块以及混合模块的开发，以满足百千瓦级别以上更高功率的光伏逆变器的应用需求。

基本半导体第二代碳化硅MOSFET 40mR/1200V TO247-3封装的B2M040120H非常适合老设计中的单管IGBT器件P2P替换升级，可替代英飞凌、安森美、ST、Wolfspeed等品牌；能够助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。

碳化硅MOSFET B2M040120H是基本半导体基于6英寸晶圆平台开发的，与上一代产品相比，拥有更低比导通电阻（降低约40%）、器件开关损耗（降低约30%），以及更高可靠性和更高工作结温（175°C）等优越性能。综上所述，B2M040120H能够使发电系统的成本大大降低，满足节能减排的需求，提升电网的安全性。

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