氮化镓工艺技术是什么意思

氮化镓工艺技术是什么意思？

氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。

氮化镓被誉为最新一代的半导体材料，发展和应用的潜力巨大。氮化镓比硅禁带宽度大3倍，击穿场强高10倍，饱和电子迁移速度大3倍，热导率高2倍。这些性能提升带来的一些优势就是氮化镓比硅更适合做大功率高频的功率器件，同时体积还更小，功率密度还更大。

什么是氮化镓技术

1、氮化镓技术是指一种宽能隙半导体材料；

2、相较于传统的硅基半导体，氮化镓能够提供显著的优势来支援功率应用

3、采用氮化镓技术也容许更多精简元件的设计以支援更小的尺寸外观；

氮化镓技术可提供什么：

1、氮化镓技术可提供高效节能；

2、精简元件的设计以支援更小的尺寸外观；

GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

氮化镓被誉为最新一代的半导体材料，发展和应用的潜力巨大。氮化镓比硅禁带宽度大3倍，击穿场强高10倍，饱和电子迁移速度大3倍，热导率高2倍。这些性能提升带来的一些优势就是氮化镓比硅更适合做大功率高频的功率器件，同时体积还更小，功率密度还更大。

一个更加直观的例子是，假如所有电器都换成氮化镓材质，整体用电量将会减少20%。

根据半导体行业发展，半导体材料也经历了三代：

第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料。目前市场上还是以硅材料占据绝大部分比例。

第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）等。

第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（Eg》2.3eV）半导体材料。

第三代半导体中，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是核心。前者目前应用更广泛，后者被寄予厚望。

综合整理自百度百科、有木聊科技、餐饮美食