氮化镓芯片应用电路了解

大家好，今天我们来了解一下氮化镓芯片应用电路，帮助大家清晰的了解 GaN 产品。

氮化镓快充已然成为了当下一个非常高频的词汇，在氮化镓快充市场迅速增长之际，65W这个功率段恰到好处的解决了大部分用户的使用痛点，从而率先成为了各大品牌的必争之地。

氮化镓是国内常说的第三代半导体材料的一种，由氮和镓两种离子组成的一种半导体材料，它具有能量带隙宽、原子键强、热导率高、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）和抗辐照能力强等性质，GaN在高温下依然能够表现出优异的开关性能，这保证了GaN功率器件在不同温度、电流以及开关速度下均能保持极小的开关损耗。本质是将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、能效比、可靠性和降低产品成本。

下面我们来看一看英诺赛科 GaN 产品。

氮化镓 GaN 产品应用电路

英诺赛科的 GaN 产品的 Vgs 开通阈值电压为 1.7V，建议的驱动电压为 5.5V-6.5V，通常选取的电压为 6V。

通常使用控制 IC，需要将控制输出电压转换为 6V，英诺赛科 GaN 产品需要外部驱动转换电路。

有两种方式转换：

使用电阻电容分压电路

英诺赛科推广的 Demo 板即采用此电路，如下图所示：

以 QR 电路结构，控制芯片 NCP1342 应用电路；NCP1342 DRV 高电平输出 （12V） R3、 R4、C1 构成的分压电路；Cgs

电容较小，很快被充电至 Vgsth 值，C1 电容值推荐 680pF至1nF 之间。

使用驱动IC

本文整理自：充电头网、氮化镓、骊微电子